7LPP工艺经过改善晶体管规划和制程技能，完结了比前代7纳米工艺更低的功耗和更高的晶体管密度。具体来说，台积电的7LPP工艺相较于10纳米工艺，可以缩小多达40%的芯片面积，速度进步20%，并下降50%的功耗。这表明7LPP工艺在功能、功耗和面积(PPA)方面都有明显的进步。这使得7LPP工艺很合适那些对能效有较高要求的运用，如智能手机、高功能核算等。

  阐明：而第五代叫做ArFi，前面三个字母相同，因为选用的也是193nm光源，但这种又与ArF不一样，之前一切的光刻机其介质选用的是空气，但到了ArFi时，选用的是水。I便是浸没式的意思，Immersion的缩写。光线在经过水时，会有折射，所以尽管ArFi光刻机选用193nm波长光源，等经水折射时，等效于134nm波长的光源，所以这种光刻机，叫做滋润式光刻机。

  因为EUV光的波长远远小于传统光刻技能运用的波长，EUV光刻技能可以在必定程度上完结更高的分辨率和更小的特征尺度，这使得它很合适用来制作7纳米及以下工艺节点的集成电路。EUV光刻技能是当时最顶级的光刻技能，它答应芯片制作商持续依照摩尔定律缩小晶体管尺度，进步芯片的功能和能效。

  ArFi（ArF浸没式光刻）：ArFi是Argon Fluoride Immersion Lithography的缩写，指的是运用ArF（氟化氩）激光源的浸没式光刻技能。ArFi光刻技能运用193纳米波长的光源，经过浸没式在光刻机镜头和硅片之间运用液体（通常是水）作为介质，来进步光的分辨率。

  这种技能答应在45纳米及更大工艺节点的芯片制作中完结更高的精度。ArFi是DUV（深紫外线）光刻技能的一种，它是在EUV技能老练之前，用于完结更高分辨率的一种过渡技能。

  Single Patterning（单次光刻）：这是一种传统的光刻技能，其间整个电路图画可以终究靠一次光刻进程来完结。运用单个掩模版（mask），经过光刻机将图画一次性转移到光刻胶上。

  单次光刻进程相对简略，本钱较低，适用于较大的特征尺度，例如90纳米或更大的工艺节点。

  Multi-Patterning（多重光刻）：跟着集成电路特征尺度的不断缩小，单次光刻技能逐步不足以满意更高精度的要求，因而开展出了多重光刻技能。多重光刻技能需求屡次光刻和刻蚀进程来创立更小的特征尺度。

  例如，两层光刻（Double Patterning）会运用两次光刻和刻蚀进程，经过不同的掩模版来创立更小的线宽或距离。多重光刻技能能进一步扩展为四重（Quad Patterning）或更屡次数的光刻，以完结更高的集成度和更小的特征尺度。